晶体管超过()时，必定被损坏。

本题主要考察晶体管的基本参数及其与晶体管损坏之间的关系。

A选项：集电极最大允许电流I
CM
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是晶体管在正常工作条件下所能承受的最大集电极电流。当电流超过这个值时，晶体管可能会进入饱和区或过热，但并不一定立即损坏。它更多地是定义了晶体管的工作范围，而不是损坏的临界值。因此，A选项错误。

B选项：集一射极间反向击穿电压U
(BR)CEO
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是晶体管在集电极开路时，发射极与集电极之间的反向击穿电压。这个参数定义了晶体管在反向电压下的承受能力，但同样，超过这个电压值并不意味着晶体管会立即损坏，而是可能进入反向击穿状态。因此，B选项错误。

C选项：集电极最大允许耗散功率P
CM
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是晶体管在给定环境条件下所能承受的最大功率耗散。这个参数直接关联到晶体管的热稳定性。当晶体管耗散的功率超过这个值时，由于过热，晶体管内部的半导体材料可能会受到永久性损伤，导致晶体管损坏。因此，C选项正确。

D选项：管子的电流放大倍数β是晶体管的一个重要参数，它描述了晶体管对电流的放大能力。然而，β的大小与晶体管的损坏没有直接关系。即使β发生变化（如由于温度变化或老化），只要其他参数（如电流、电压、功率）在允许范围内，晶体管也不会因此损坏。因此，D选项错误。

综上所述，正确答案是C。