中性点接地系统比不接地系统供电可靠性( )。

在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力将成万倍增加。

二极管击穿后，还能再恢复其单向导电性。

在同样的PN结面积条件下，锗管允许通过的电流比硅管大，所以大功率二极管都用锗制造。

半导体内部的“电子-空穴对”会随外界温度升高或光照强度增加而明显增加，使导电能力增强。

PN结内电场的方向为由N区的正电荷区指向P区的负电荷区。

N型半导体中的空穴多，P型半导体中的电子多。

半导体掺杂后能使其在原有“电子-空穴对”的基础上，增加大量的电子或空穴。

掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的其它四价元素。

本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。

硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。