半导体掺杂后能使其在原有“电子-空穴对”的基础上，增加大量的电子或空穴。

**解析：** 半导体掺杂是通过在本征半导体（如硅、锗）中掺入微量杂质元素，从而显著改变其导电性能的过程。这一过程的核心原理如下： 1. **本征半导体的基础**： 在纯净的本征半导体中，载流子主要来源于热激发产生的“电子-空穴对”。在室温下，这种本征激发的载流子浓度相对较低，因此导电能力有限。 2. **掺杂的作用机制**： * **N型掺杂**：当掺入五价元素（如磷、砷）时，杂质原子提供多余的自由电子。这些电子成为多数载流子，使得半导体中的自由电子浓度远远超过本征激发产生的电子-空穴对数量。 * **P型掺杂**：当掺入三价元素（如硼、镓）时，杂质原子产生额外的空穴。这些空穴成为多数载流子，使得半导体中的空穴浓度远远超过本征激发产生的电子-空穴对数量。 3. **结论**： 掺杂后，半导体中确实会在原有热激发产生的少量“电子-空穴对”基础上，由杂质电离提供大量的多数载流子（要么是电子，要么是空穴）。这极大地提高了半导体的导电能力，并决定了其导电类型。 因此，题干描述“半导体掺杂后能使其在原有‘电子-空穴对’的基础上，增加大量的电子或空穴”是**正确**的。