本征半导体内部电子和空穴的数量在任何情况下总是相等的。

**解析：** 本征半导体（Intrinsic Semiconductor）是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。在本征半导体中，载流子（自由电子和空穴）的产生主要依赖于**本征激发**。 1. **成对产生机制**： 当温度高于绝对零度时，价带中的电子获得足够的能量跃迁到导带，成为自由电子。与此同时，在价带中留下一个空位，即空穴。这个过程称为“电子-空穴对”的产生。由于每一个自由电子的产生必然伴随着一个空穴的产生，因此从来源上看，电子和空穴是成对出现的。 2. **电中性要求**： 本征半导体整体呈电中性。在没有外部注入载流子（如光照、电注入）且没有掺杂杂质的情况下，为了维持电荷平衡，带负电的自由电子浓度（$n$）必须等于带正电的空穴浓度（$p$）。即： $$ n = p = n_i $$ 其中 $n_i$ 为本征载流子浓度。 3. **关于“任何情况”的说明**： 虽然温度变化会改变本征载流子浓度 $n_i$ 的大小（温度升高，$n_i$ 增大），但在热平衡状态下，只要半导体保持“本征”状态（未掺杂、无外界非平衡载流子注入），电子和空穴的数量始终相等。即使在外加电场作用下，虽然电子和空穴的漂移速度不同导致电流贡献不同，但其**数量浓度**在热平衡下依然保持相等。 因此，该说法是**正确**的。