掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的其它四价元素。

**解析：** 该说法是**错误**的。 **原因分析：** 1. **掺杂元素的价态不对**： 半导体掺杂（Doping）是指在本征半导体（如硅 Si、锗 Ge，均为**四价**元素）中，有意掺入少量的**杂质元素**。为了改变半导体的导电类型和导电能力，掺入的杂质元素通常是**三价**元素（如硼 B、铝 Al、镓 Ga、铟 In）或**五价**元素（如磷 P、砷 As、锑 Sb）。 * 如果掺入的是其他**四价**元素（例如在硅中掺入锗），由于价电子数相同，它们主要形成置换固溶体，通常不会显著提供自由电子或空穴，因此不能有效地实现N型或P型掺杂的目的。 2. **掺杂的目的**： 掺杂的主要目的是通过引入施主杂质（五价）或受主杂质（三价），在半导体中产生多余自由电子（形成N型半导体）或多余空穴（形成P型半导体），从而大幅提高半导体的导电性并控制其电学特性。 **正确表述应为：** 掺杂是指在本征半导体中掺进一定类型和数量的**三价或五价**杂质元素。