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简答题
4.什么是沟道效应?如何才能避免?
答案解析
正确答案：对晶体进行离子注入时,当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时,一些离子将沿沟道运动,受到的核阻止作用很小,而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小,这些离子的能量损损失率很低,注入深度就会大于无定形衬底中深度,这种现象称为沟道效应。沟道效应的存在,使得离子注入的浓度很难精确控制,因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾,偏离预计的高斯分布规律。沟道效应降低的技巧:
解析：
null(1)、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。(2)、将硅晶片偏离主平面5-10度,也能有防止离子进入沟道的效果。(3)、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面,可在硅晶片表面产生一个随机层。
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