2.比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的优缺点

正确答案：MBE与VPE相比生长硅,MBE可精确控制外延层厚度,能生长极薄的硅外延层;且外延温度低,无杂质再分布现象,且工艺环境清洁,因此硅外延层杂质分布精确可控,能形成复杂杂质结构的硅外延层。但MBE工艺设备复杂、工艺成本高、效率低。

集成电路工艺问答题

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1、晶体中的缺陷有哪几种?

6.通常掩膜氧化采用的工艺方法为:

5. 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率:

4.什么是沟道效应?如何才能避免?

3.比较硅单晶锭CZ、MCZ、和FZ这三种生长方法优缺点

2.比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的优缺点

1.双极型晶体管芯片的制造由哪些工艺步骤完成

10.二氧化硅作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

9.半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

8.满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。