1.双极型晶体管芯片的制造由哪些工艺步骤完成

2、直拉法单晶生长过程?

1、晶体中的缺陷有哪几种?

6.通常掩膜氧化采用的工艺方法为:

5. 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率:

4.什么是沟道效应?如何才能避免?

3.比较硅单晶锭CZ、MCZ、和FZ这三种生长方法优缺点

2.比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延(VPE)生长硅的优缺点

1.双极型晶体管芯片的制造由哪些工艺步骤完成

10.二氧化硅作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

9.半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。