2.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

27.光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作?

26. 在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是( )。当偏离晶向( )ψc注入时,可以避免。

25. 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为?

24.‌光刻工艺所需要的三要素?

23.在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?

22. 扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸( ),这是( )效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。

5、根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为哪几类?

4、热氧化制备二氧化硅的方法有?

3、离子注入在衬底中产生的损伤有?

2、直拉法单晶生长过程?