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5.相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。
4.离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导,高于临界能量时电子阻止本领占主导。
3.替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
2.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
1.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。
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