3、离子注入在衬底中产生的损伤有?

10.二氧化硅作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。

9.半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

8.满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。

7.集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

6.通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。

5.相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

4.离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导,高于临界能量时电子阻止本领占主导。

3.替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

2.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

1.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。