26. 在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是( )。当偏离晶向( )ψc注入时,可以避免。

3.替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

2.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

1.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。