196.可控硅阻容移相桥触发电路，空载时的移相范围是()。

**解析：** 可控硅（晶闸管）阻容移相桥触发电路是一种经典的模拟触发电路，其核心原理是利用电阻和电容组成的移相网络，通过改变电阻值来改变电容电压相对于电源电压的相位角，从而控制可控硅的导通角。 1. **电路结构分析**： 该电路通常由一个桥式整流电路和一个RC移相环节组成。在单相交流电路中，输入电压经过变压器或直接接入，RC串联支路与负载（或后续触发电路）并联或构成电桥的一部分。 2. **移相原理**： * 当调节电位器（可变电阻）时，RC回路的时间常数 $\tau = RC$ 发生变化。 * 电容上的电压 $U_C$ 滞后于电源电压 $U$ 一个角度 $\phi$。 * 理论上，对于简单的RC串联电路，当电阻 $R$ 从 $0$ 变化到 $\infty$ 时，电容电压的相位可以从滞后 $90^\circ$ 变化到滞后 $180^\circ$（或者相对于某些参考点，移相范围覆盖半个周期）。 * 在典型的**阻容移相桥**电路中，利用对角线电压作为触发信号。当电阻从零变到无穷大时，输出触发脉冲的相位可以在半个周期内连续移动。 3. **空载时的移相范围**： * 一个完整的交流电周期是 $360^\circ$。 * 可控硅通常在正半周或负半周工作。对于单结晶体管或简单的阻容移相触发电路，其最大移相范围受限于电源频率和RC时间常数。 * 在理想情况下（空载，忽略漏电流和非线性影响），阻容移相桥可以将触发脉冲的相位从 $0^\circ$ 推迟到 $180^\circ$。这意味着它可以在整个正半周（或负半周）内的任意时刻触发可控硅。 * 因此，其理论最大移相范围为 **$180^\circ$**。 4. **选项分析**： * A. $90^\circ$：这是纯电感或纯电容电路某些特定条件下的相位差，或者是部分简单RC电路的有效调节范围，但不是移相桥的最大范围。 * B. $150^\circ$：实际电路中由于元件非理想特性，可能达不到 $180^\circ$，但题目问的是理论上的空载范围，通常指理想最大值。 * C. $180^\circ$：这是单相阻容移相触发电路的理论最大移相范围，覆盖了半个周期。 * D. $270^\circ$：超过了半个周期，对于基本的单相RC移相桥来说是不可能的。 综上所述，可控硅阻容移相桥触发电路在空载时的理论移相范围是 $180^\circ$。 **正确答案：C**