4.离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导,高于临界能量时电子阻止本领占主导。

25. 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为?

24.‌光刻工艺所需要的三要素?

23.在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?

22. 扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸( ),这是( )效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。

5、根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为哪几类?

4、热氧化制备二氧化硅的方法有?

3、离子注入在衬底中产生的损伤有?

2、直拉法单晶生长过程?

1、晶体中的缺陷有哪几种?

6.通常掩膜氧化采用的工艺方法为: