319、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。

**解析：** 功率晶体管（GTR， Giant Transistor）在工作过程中存在两种主要的击穿现象：一次击穿和二次击穿。 1. **一次击穿**：当集电极-发射极电压 $V_{CE}$ 增加到一定数值时，集电结发生雪崩击穿，导致集电极电流 $I_C$ 急剧增加。此时如果限制电流，器件通常不会损坏，且电压基本保持不变，这类似于齐纳二极管的特性。 2. **二次击穿**：这是 GTR 特有的、极具破坏性的现象。当 GTR 处于高电压、小电流状态时，如果由于某种原因（如局部热点、电流集中等）导致某处电流密度突然增大，该处的温度会迅速升高，进而导致该区域电阻降低，吸引更多电流。这种正反馈过程会在极短时间内使器件从高电压、小电流状态突变为**低电压、大电流**状态。这个过程伴随着巨大的能量耗散，往往导致器件永久性损坏。 题目中描述的“从高电压小电流向低电压大电流跃变”正是**二次击穿**的典型特征。 * **选项 A (二次击穿)**：符合题意，描述了电压骤降、电流骤增的负阻效应现象。 * **选项 B (一次击穿)**：通常指雪崩击穿，表现为电流激增但电压不一定大幅跌落至低电平，且未必伴随不可逆的热崩溃。 * **选项 C (临界饱和)**：指晶体管从放大区进入饱和区的边界状态，是正常工作区域的一种，并非击穿现象。 * **选项 D (反向截止)**：指晶体管处于关闭状态，漏电流很小，与题意描述的大电流状态不符。 因此，正确答案是 **A**。