单选题
132、区分n半导体和p半导体的方法是()。
A
n半导体的电子过剩,p半导体的电子不足
B
n半导体的电子不足,p半导体的电子过剩
C
n半导体和p半导体的掺杂相同,但接头不同
D
n半导体掺杂三价元素硼,p半导体掺杂五价元素磷
答案解析
正确答案:A
解析:
**解析:**
本题考查半导体物理的基础知识,主要涉及 N 型半导体和 P 型半导体的形成原理及载流子特性。
1. **N 型半导体(Negative Type)**:
* **掺杂元素**:在纯净的半导体(如硅 Si、锗 Ge)中掺入少量的**五价元素**(如磷 P、砷 As、锑 Sb)。
* **导电机制**:五价元素的原子有 5 个价电子,其中 4 个与周围半导体原子的价电子形成共价键,剩下的 1 个电子成为自由电子。因此,N 型半导体中**自由电子(负电荷)的数量远多于空穴**,即**电子过剩**。自由电子是多数载流子。
2. **P 型半导体(Positive Type)**:
* **掺杂元素**:在纯净的半导体中掺入少量的**三价元素**(如硼 B、铝 Al、镓 Ga、铟 In)。
* **导电机制**:三价元素的原子只有 3 个价电子,与周围半导体原子形成共价键时,缺少 1 个电子,从而产生一个“空穴”。因此,P 型半导体中**空穴(正电荷)的数量远多于自由电子**,相对于 N 型而言,表现为**电子不足**(或空穴过剩)。空穴是多数载流子。
**选项分析:**
* **A 项正确**:N 型半导体因掺入五价元素导致自由电子增多(电子过剩),P 型半导体因掺入三价元素导致空穴增多(相对电子不足)。这是区分两者的本质特征之一。
* **B 项错误**:描述反了。N 型是电子过剩,P 型是电子不足(空穴过剩)。
* **C 项错误**:N 型和 P 型半导体的掺杂元素不同(五价 vs 三价),并非掺杂相同。
* **D 项错误**:描述反了。N 型半导体通常掺杂五价元素(如磷),P 型半导体通常掺杂三价元素(如硼)。
故正确答案为 **A**。
相关知识点:
np半导体电子情况区分记
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2023系统技能竞赛
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