绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管.

**解析：** 绝缘栅双极晶体管（IGBT）和电力场效应管（MOSFET）都是常见的功率半导体器件，但它们的内部结构和工作原理不同，导致开关特性存在显著差异。 1. **器件结构与原理**： * **电力场效应管（MOSFET）**：是一种单极型器件，主要依靠多数载流子（电子或空穴）导电。由于没有少数载流子的存储效应，其开关过程非常快，开关损耗小，适合高频应用。 * **绝缘栅双极晶体管（IGBT）**：是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（双极型晶体管）的低导通压降优点。但在关断时，由于基区存在少数载流子的存储效应（即“拖尾电流”现象），导致其关断时间较长。 2. **开关速度对比**： * MOSFET 的开关频率通常可以达到几十kHz甚至MHz级别。 * IGBT 的开关频率通常在几kHz到几十kHz之间。 * 因此，IGBT 的开关速度明显**低于**电力场效应管（MOSFET）。 **结论：** 绝缘栅双极晶体管的开关速度**低于**电力场效应管。 故正确答案为 **B**。