7.试比较全控型器件GTO、GTR、MOSFET、IGBT的性能特点?GTO电流型驱动器件,电压、电流容量大,适用于大功率场合,其通流能力很强,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低GTR电流型驱动器件,耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题MOSFET电压型驱动器件,开关速度快,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置IGBT电压型驱动器件,开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。

12.在三相半波可控整流电路中,电阻性负载,当控制角 ()时,电流连续。

11.()可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。

10.电力变换通常可分为:()、()、()和交流变交流。

9.电力电子器件按开关控制性能分类,分为不可控型、 () 和() 。

8.触发脉冲可采取()触发与()触发两种方法,目前采用较多的是( )触发方法。

7.三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围(),电感性负载不接续流二极管时,电路的移相范围()。

6.晶闸管内部结构具有()端、()层、()个PN结,三个引出电极分别为:()、()和()。

5.三相桥式全控整流电路,要使电路工作正常,必须任何时刻要有()只晶闸管同时导通,一个是共()极的,另一个是共()极的元件,且要求不是()的两个元件。

4.晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的()。

3.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。