4.晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的()。

6.单相桥式全控阻感负载整相电路 ( ),已知U₂,绘出U_d、i₂的输出波形。( )

4.单相桥式全控阻感负载整流电路 ,已知U₂,绘出U_d、i₂的输出波形。( ) 5.三相桥式整流电路,已知U_a、U_b、U_c,绘出U_d、i_a的输出波形。( )

2.三相半波可控整流电路,已知U_a、U_b、U_c,绘出U_d、i_T1的输出波形。( )

1.单相半波可控整流电路( ),已知U₂,绘出U_d、i_d的输出波形。( )

11、什么是逆变失败?形成的原因是什么?

10.晶闸管变流装置中为什么在主电路上要加入整流变压器进行降压?

9.简述电力电子器件特征?

8.简述晶闸管导通的条件与关断条件?晶闸管导通的条件:阳极承受正向电压,同时在门极和阴极之间也加正向电压,两者缺一不可。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,因此门极所加触发电压一般为脉冲电压。晶闸管的关断条件:使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。

7.试比较全控型器件GTO、GTR、MOSFET、IGBT的性能特点?GTO电流型驱动器件,电压、电流容量大,适用于大功率场合,其通流能力很强,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低GTR电流型驱动器件,耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题MOSFET电压型驱动器件,开关速度快,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置IGBT电压型驱动器件,开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。

6.以桥式半控整流电路为例说明什么是“失控”现象?