29、抑制性突触后电位( )

**解析：** 抑制性突触后电位（IPSP）是指突触前膜释放抑制性递质，作用于突触后膜上的特异性受体，导致突触后膜对某些离子（主要是 $Cl^-$，有时也包括 $K^+$）的通透性增加。 1. **离子机制与电位变化**： * 当 $Cl^-$ 通道开放时，$Cl^-$ 顺浓度梯度内流（或者 $K^+$ 外流），使得突触后膜内的负电荷增加，膜电位绝对值增大，即发生**超极化**。 * 这种超极化使得膜电位远离阈电位，从而降低神经元产生动作电位的可能性，起到抑制作用。 * 因此，IPSP 本质上是**超极化局部电位**。 2. **选项分析**： * **A 错误**：去极化局部电位是兴奋性突触后电位（EPSP）的特征，由 $Na^+$ 内流引起。 * **B 错误**：突触后电位（包括 EPSP 和 IPSP）都是**局部电位**，具有等级性（随刺激强度变化）、可总和性、电紧张扩布等特点，而不具备“全或无”性质。“全或无”是动作电位的特征。 * **C 正确**：如上所述，IPSP 是由抑制性递质引起的突触后膜超极化局部电位。 * **D 错误**：IPSP 的产生主要取决于突触后膜对特定离子通透性的改变，而非单纯由突触前膜递质释放量减少所致。递质释放量减少可能导致 EPSP 幅度减小，但不直接定义为 IPSP 的成因。 * **E 错误**：突触后膜 $Na^+$ 通透性增加会导致 $Na^+$ 内流，引起去极化，这是兴奋性突触后电位（EPSP）的产生机制。 综上所述，正确答案为 **C**。