12.非编码键盘接口一般通过( )或8255、8155等并行I/O接口和MPU相连。

8.三极管放大区的放大条件为( )。

7.高频大功率三极管(NPN型硅材料)管用( )表示。

6.高频大功率三极管(PNP型锗材料)管用( )表示。

5.稳压管虽然工作在反向击穿区,但只要( )不超过允许值,PN结不会过热而损坏。

4.常用的稳压电路有( )等。

3.N型硅材料整流堆二极管用( )表示。

2.当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随( )变化。

1.导通后二极管两端电压变化很小,锗管约为( )。

12.雷击引起的交流侧过电压从交流侧经变压器向整流元件移动时,可分为两部分:一部分是静电过渡,能量较小,可用变压器二次侧经( )来吸收。

11.雷击引起的交流侧过电压从交流侧经变压器向整流元件移动时,可分为两部分:一部分是电磁过渡分量,能量相当大,必须在变压器的一次侧安装( )。