在下列情况下应适当增加探伤次数或缩短探伤周期： （1）（ ）；

一般来说，对于给定的探头(晶片尺寸和频率)，当缺陷的探测距离和面积都相等时，（ ）缺陷的反射波最高。

一般来说，对于给定的探头(晶片尺寸和频率)，当缺陷的探测距离和面积都相等时，球状缺陷的反射波( )。

一般来说，对于给定的探头(晶片尺寸和频率)，当缺陷的探测距离和面积都相等时，片状缺陷的反射波高( )。

一般来说，对于给定的探头(晶片尺寸和频率)，当缺陷的探测距离和面积都相等时，长圆柱形缺陷的反射波( )。

当声波入射方向与缺陷面呈一定倾角时，缺陷的反射波波高会随倾角的增大而急剧( ),因此,在实际探伤中,有时会产生小缺陷的反射波高,大缺陷的反射回波反而低的现象。

当声波入射方向与缺陷面呈一定倾角时，缺陷的反射波波高会随倾角的（ ）而急剧下降,因此,在实际探伤中,有时会产生小缺陷的反射波高,大缺陷的反射回波反而低的现象。

工件中的实际缺陷会呈现各种取向,当声波入射方向与缺陷面垂直时,能获得该缺陷的（ ）回波。

工件中的实际缺陷会呈现各种取向,当声波（ ）方向与缺陷面垂直时,能获得该缺陷的最大回波。

工件中的实际缺陷会呈现各种取向,当声波入射方向与缺陷面（ ）时,能获得该缺陷的最大回波。

AVG线图中的G代表（ ）。