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三基理论考试题库
3,880
单选题

单选题:下列对闯电位的描述正确的是

A
 能造成膜对K+通透性突然增大的临界膜电位
B
 能造成膜对Mq2+通透性突然增大的临界膜电位
C
 能造成膜对Na+通透性突然增大的临界膜电位
D
 能造成膜对Ca2+通透性突然增大的临界膜电位
E
 能造成膜对CI-通透性突然增大的临界膜电位

答案解析

正确答案:C
三基理论考试题库

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