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模拟电子技术基础
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34. 需要一个阻抗变换电路,要求输入电阻大,输出电阻小,应选用()负反馈。

A、电压串联

B、电压并联

C、电流串联

D、电流并联

答案:A

模拟电子技术基础
33. 若引入反馈后(),则说明引入的反馈是串联负反馈。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-3741-c054-9b6477d91d00.html
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35. 直流负反馈在电路中的主要作用是()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-3b87-c054-9b6477d91d00.html
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10.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且输出电压基本不随负载变化而变化,在放大电路中应引入的负反馈类型为()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-0579-c054-9b6477d91d00.html
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31. 差动放大电路的主要特点是()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-3279-c054-9b6477d91d00.html
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23. 某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于()mA。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-21f7-c054-9b6477d91d00.html
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12. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-0aaf-c054-9b6477d91d00.html
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27. 实现晶体三极管截止的条件是()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-2ad8-c054-9b6477d91d00.html
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7. 共模抑制比KCMR越大,表明电路()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c2-ff20-c054-9b6477d91d00.html
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1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c2-e527-c054-9b6477d91d00.html
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43. 差分放大电路的共模抑制比KCMR的定义是()(之比。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-4bf0-c054-9b6477d91d00.html
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题目内容
(
单选题
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模拟电子技术基础

34. 需要一个阻抗变换电路,要求输入电阻大,输出电阻小,应选用()负反馈。

A、电压串联

B、电压并联

C、电流串联

D、电流并联

答案:A

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模拟电子技术基础
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33. 若引入反馈后(),则说明引入的反馈是串联负反馈。

A. 输入电阻减小

B. 输出电阻减小

C. 输出电阻增大

D. 输入电阻增大

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35. 直流负反馈在电路中的主要作用是()。

A. 提高输入电阻

B. 降低输出电阻

C. 增大电路增益

D. 稳定静态工作点

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10.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且输出电压基本不随负载变化而变化,在放大电路中应引入的负反馈类型为()。

A. 电流串联

B. 电压串联

C. 电流并联

D. 电压并联

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31. 差动放大电路的主要特点是()。

A. 有效放大差模信号,有力抑制共模信号

B. 既放大差模信号,又放大共模信号

C. 有效放大共模信号,有力抑制差模信号

D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号

https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-3279-c054-9b6477d91d00.html
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23. 某晶体管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于()mA。

A. 0.98

B. 1.02

C. 0.8

D. 1

https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-21f7-c054-9b6477d91d00.html
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12. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ()。

A. 电阻阻值有误差

B. 晶体管参数的分散性

C. 晶体管参数受温度影响

D. 受输入信号变化的影响

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27. 实现晶体三极管截止的条件是()。

A. 发射结正偏,集电结反偏

B. 发射结,集电结均正偏

C. 发射极,集电结均反偏

D. 发射结反偏 ,集电结正偏

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7. 共模抑制比KCMR越大,表明电路()。

A. 放大倍数越稳定

B. 交流放大倍数越大

C. 抑制温漂能力越强

D. 输入信号中的差模成分越大

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1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ()。

A. 增大

B. 减小

C. 不变

D. 等于零

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43. 差分放大电路的共模抑制比KCMR的定义是()(之比。

A. 差模输入信号与共模输入信号

B. 差模输出信号与共模输出信号

C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)

D. 差模输入信号与差模输出信号

https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/0011cc6e-69c3-4bf0-c054-9b6477d91d00.html
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