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17单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角 α大于不导电角时,晶闸管的导通角 =(); 当控制角小于不导电角  时,晶闸管的导通角  =()。

答案:π-α-, π-2

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2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为(),而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-40a1-c054-9b6477d91d00.html
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5.电力二极管的工作特性可概括为()。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-48cd-c054-9b6477d91d00.html
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37、三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是()的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是()的相电压;这种电路角的移相范围是(),ud波形连续的条件是o60 。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-95a3-c054-9b6477d91d00.html
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22.电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为(),欲实现有源,只能采用()电路;对于单相全波电路,当控制角 0<  <   时,电路工作在()状态;      时,电路工作在()状态。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-7264-c054-9b6477d91d00.html
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16.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为(),单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为();带阻感负载时,α 角移相范围为(),单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为()和();带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个()。
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5、 根据对输出电压平均值进行控制的方法不同,直流斩波电路可有哪三种控制方式?并简述其控制原理。第一种调制方式为:保持开关周期不变,改变开关导通时间 75on称为脉宽调制。简称“PWM”调制。第二种调制方式为:保持开关导通时间 ton不变,改变开关周期,称为频率调制。简称为“PFM”调制。第三种调制方式为:同时改变周期 T与导通时间 ton。使占空比改变,称为混合调制。
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8.GTO的()结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-4ecd-c054-9b6477d91d00.html
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31.
https://www.shititong.cn/cha-kan/shiti/00103414-6c77-84a6-c054-9b6477d91d00.html
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4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为() 、 () 、()三类。
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10.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是ⱣⱤ电力二极管ⱣⱤⱣⱤ,属于半控型器件的是ⱣⱤⱣⱤ晶闸管ⱣⱤ,属于全控型器件的是ⱣⱤ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、IGBT ⱣⱤ;属于单极型电力电子器件的有ⱣⱤ电力 MOSFET ⱣⱤ,属于双极型器件的有ⱣⱤ电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR ⱣⱤ,属于复合型电力电子器件得有 ⱣⱤⱣⱤ IGBT ⱣⱤ;在可控的器件中,容量最大的是ⱣⱤ晶闸管ⱣⱤ,工作频率最高的是ⱣⱤ电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT ⱣⱤ,属于电流驱动的是ⱣⱤ晶闸管、GTO 、GTR ⱣⱤ。
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17单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角 α大于不导电角时,晶闸管的导通角 =(); 当控制角小于不导电角  时,晶闸管的导通角  =()。

答案:π-α-, π-2

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