( )用万用表测试好的单向晶闸管时，A－G极间正反向电阻应该

本题考查单向晶闸管（SCR，Silicon Controlled Rectifier）的结构特性与万用表检测原理。 一、核心知识点解析： 1. 单向晶闸管的内部结构： 单向晶闸管是四层三端半导体器件，结构为PNPN，三个电极分别为阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。其等效电路可视为一个PNP晶体管与一个NPN晶体管组成的正反馈耦合结构。A与K之间相当于一个反向偏置的PN结（J2结）与两个正向偏置结（J1、J3）串联，但在未触发导通前，整体呈现高阻态。 2. A–G极间电阻的物理含义： A（阳极）接P型区，G（门极）通常引自靠近阴极的P型控制区（即与K相邻的P层），二者之间实际存在一个PN结（具体取决于制造工艺，但典型结构中A与G之间为P–P或P–N结构）。在标准单向晶闸管中，阳极A与门极G之间并无直接低阻通路；它们分属不同功能区域，中间被耗尽层隔离。用模拟万用表（电阻挡）测A–G时，无论红黑表笔如何调换（即正向或反向），均不能形成有效导通路径——因为： - 若A接表内电池正极（黑表笔）、G接负极（红表笔），相当于对A–G间可能存在的PN结施加反向电压； - 若A接负极、G接正极，虽为正向偏置，但因G与A之间并非一个独立、低掺杂的二极管结（而是共享基区的复杂结构），且存在较高体电阻及势垒，实际正向也不导通。 实测表明：正常、未损坏的单向晶闸管，A–G间正反向电阻均很高，一般为几百千欧至无穷大（∞），远大于普通二极管的正向电阻（几百欧至几千欧）。 3. 对比其他选项辨析： - A项“都不大”：错误。若A–G间电阻均小，说明存在短路或器件击穿，属失效状态。 - B项“一大一小”：这是典型PN结（如二极管、三极管结）的特征（正向小、反向大）。但A–G不是独立PN结，不满足该规律。 - C项“都很小”：意味着A与G间近似短路，器件已损坏，不符合“好的晶闸管”前提。 - D项“都很大”：正确。反映A–G间无低阻通路，符合正常晶闸管的高绝缘特性。 二、补充说明（检测注意事项）： - 万用表电阻挡使用的是内部干电池（通常1.5V或9V），该电压远低于晶闸管的正向转折电压（V_(BO)）和A–G间击穿电压，因此无法触发导通，仅能测出结的固有阻抗特性。 - 实际检测中，更常用的方法是测G–K间电阻（类似二极管，正向几百欧～几kΩ，反向较大），以及A–K间正反向均大（未触发时）来综合判断。 综上，正确答案为D：都很大。