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单选题
301.抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对(的通透性增加所致()。
A
.Na+、Cl-、K+,尤其是K+
B
.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
C
.Na+、K+,尤其是Na+
D
.K+、Cl-,尤其是Cl-
E
.K+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
答案解析
正确答案：D
解析：
解析:抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对K+、Cl-,尤其是Cl-的通透性增加所致,其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控Cl-通道开放。这种配体门控通道的开放引起Cl-内流,结果突触后膜发生超极化。此外,抑制性突触后电位的形成还可能与突触后膜K+通道的开放或Na+通道和Ca2+通道的关闭有关。
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