319、判断题:在二次电子崩的头部有大量电子进入初始电子崩的正空间电荷区内，与之混合成为充满正、负带电质点的混合等离子通道，即形成流注。( )

541、判断题:电场越不均匀，击穿电压与开始发生电晕起始电压间差别越小。 ( )

540、判断题:m型介质试验器的标准电容支路的作用为产生1v的标准电压及测量介质损耗功率p。( )

539、判断题:已知横截面积为4mm2的导线中，流过的电流为20A，则该导线中的电流密度为5A/mm2。( )

538、判断题:高压整流硅堆的额定电流应大于工作电流。 ( )

537、判断题:M 型介质试验器极性判别支路用来测量试验电压作用下的视在功率 S。 ( )

536、判断题:工频耐压试验电压的测量误差一般要求不大于3%。( )

535、判断题:当电源内阻为零时，电源端电压等于电源电动势。

534、判断题:对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。( )

533、判断题:在电力设施的大多数绝缘结构中，电场是不均匀的。

532、判断题:当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应不够灵敏。