479、关于IGBT说法错误的是()。

**解析：** IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它结合了 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）和 GTR（巨型晶体管/双极型晶体管）的优点。我们可以逐一分析各个选项： * **A. 开关速度高**：正确。由于 IGBT 的输入级是 MOSFET 结构，属于多数载流子导电器件，没有少数载流子的存储效应，因此其开关速度远高于普通的双极型晶体管（如 GTR），接近于 MOSFET。 * **B. 通态压降较低**：正确。由于 IGBT 的输出级是双极型晶体管结构，具有电导调制效应，因此在高电压、大电流工作状态下，其通态压降比同等容量的 MOSFET 低得多，损耗较小。 * **C. 电压驱动型器件**：正确。IGBT 的栅极与发射极之间由绝缘层隔离，形成电容结构。驱动时只需在栅极施加电压信号即可控制导通与关断，不需要像电流驱动型器件（如 GTR、晶闸管）那样提供持续的驱动电流。 * **D. 驱动功率大**：**错误**。正因为 IGBT 是电压驱动型器件，其栅极输入阻抗极高，在静态工作时几乎不消耗电流，仅在开关瞬间对栅极电容充放电时需要微小的脉冲电流。因此，IGBT 的**驱动功率很小**，驱动电路简单且易于集成。相比之下，电流驱动型器件才需要较大的驱动功率。 综上所述，关于 IGBT 说法错误的是 **D**。