457、二极管是一个PN结,具有单向导电性,当外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零,当电压超过一定数值后,电流增长很快,这个一定数值的正向电压被称为死区电压或开启电压,其大小和材料有关,通常,硅管的死区电压约为()V,锗管约为()V。

**解析：** 二极管的核心是一个PN结，其伏安特性曲线表明，在正向电压较小时，由于内电场的阻挡作用，正向电流非常微弱，几乎为零。只有当外加正向电压超过某一特定数值时，内电场被显著削弱，正向电流才会迅速增大。这个使二极管开始明显导通的临界电压值被称为**死区电压**（或开启电压、阈值电压）。 死区电压的大小主要取决于半导体材料的性质： 1. **硅管（Si）**：硅材料的禁带宽度较大，因此其死区电压较高。在工程应用和一般教材中，通常认为硅管的死区电压约为 **0.5V**（也有说法为0.5V~0.7V，导通后压降约为0.7V）。 2. **锗管（Ge）**：锗材料的禁带宽度较小，因此其死区电压较低。通常认为锗管的死区电压约为 **0.1V**（也有说法为0.1V~0.3V，导通后压降约为0.3V）。 对比选项： * A. 0.5; 0.2 —— 锗管数值偏大。 * B. 0.5; 0.1 —— 符合硅管和锗管死区电压的典型估算值。 * C. 0.3; 0.2 —— 硅管数值偏小，锗管数值偏大。 * D. 0.3; 0.1 —— 硅管数值偏小（0.3V通常是锗管的导通压降范围，而非硅管的死区电压）。 因此，硅管死区电压约为0.5V，锗管死区电压约为0.1V。 **正确答案：B**