312、绝缘栅双极晶体管( )的导通由()之间的电压控制。

**解析：** 绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称 **IGBT**）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 1. **结构特点**：IGBT 是由双极型晶体管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合器件。它兼具 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR（大功率晶体管）的低导通压降两方面的优点。 2. **控制原理**： * IGBT 的输入部分类似于 MOSFET，其栅极（Gate, G）与发射极（Emitter, E）之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入阻抗。 * IGBT 的导通与关断是由**栅极（G）**和**发射极（E）**之间的电压 $U_{GE}$ 来控制的。 * 当 $U_{GE}$ 大于开启电压时，IGBT 导通；当 $U_{GE}$ 小于开启电压或为负值时，IGBT 关断。 3. **选项分析**： * **A. 栅极端和发射极端**：正确。这是 IGBT 的控制端，通过改变这两极间的电压来控制器件的导通与截止。 * B. 栅极端和集电极端：错误。集电极是主电流回路的一端，不是控制参考点。 * C. 集电极端和发射极端：错误。这是主电路的通断路径，其通断状态受栅极-发射极电压控制，而非直接由这两极间电压控制导通信号（虽然这两极间存在电压，但它是被控对象的结果而非控制源）。 * D. 以上均不对：错误。 因此，IGBT 的导通由**栅极端和发射极端**之间的电压控制。 **正确答案：A**