多选题
1、Lb3G2143关于石膏结晶过程,说法正确的是( )。
A
石膏的结晶速度依赖于石膏的过饱和度;
B
当浆液超过某一相对饱和值后,石膏晶体会在已经存在的晶体上生长;
C
相对饱和度达到某一更高值时,就会产生成核反应,石膏晶体会在其他物质表面生长,导致吸收塔浆液池表面结垢;
D
正常运行过饱和度一般控制在110%~140%。
答案解析
正确答案:ABC
解析:
这是一道关于石膏结晶过程的理解题,我们需要分析每个选项,以确定哪些描述是正确的。
A选项:石膏的结晶速度依赖于石膏的过饱和度。
这个说法是正确的。在化学结晶过程中,过饱和度(即溶液中溶质的浓度超过其饱和浓度的程度)是影响结晶速度的关键因素。石膏的结晶速度确实会随着过饱和度的增加而加快。
B选项:当浆液超过某一相对饱和值后,石膏晶体会在已经存在的晶体上生长。
这也是正确的。在石膏结晶过程中,当溶液达到一定的过饱和度后,石膏晶体会倾向于在已经存在的晶体上继续生长,而不是形成新的晶体。这有助于形成更大的晶体颗粒,减少细小颗粒的数量。
C选项:相对饱和度达到某一更高值时,就会产生成核反应,石膏晶体会在其他物质表面生长,导致吸收塔浆液池表面结垢。
这个描述同样准确。当溶液的过饱和度进一步增加,达到一个更高的临界值时,会发生成核反应,即形成新的晶体核心。这些新的晶体核心可能会在其他物质(如吸收塔浆液池的表面)上生长,从而导致结垢现象。
D选项:正常运行过饱和度一般控制在110%~140%。
这个说法可能因具体的工艺条件和操作要求而异,但作为一个普遍性的陈述,它并不准确。实际的过饱和度控制范围可能因不同的石膏结晶系统和操作条件而有所不同。因此,不能一概而论地认为正常运行过饱和度一定控制在110%~140%之间。
综上所述,A、B、C三个选项正确地描述了石膏结晶过程的相关现象和原理,而D选项则因为缺乏普遍适用性而被视为不正确。因此,正确答案是ABC。
A选项:石膏的结晶速度依赖于石膏的过饱和度。
这个说法是正确的。在化学结晶过程中,过饱和度(即溶液中溶质的浓度超过其饱和浓度的程度)是影响结晶速度的关键因素。石膏的结晶速度确实会随着过饱和度的增加而加快。
B选项:当浆液超过某一相对饱和值后,石膏晶体会在已经存在的晶体上生长。
这也是正确的。在石膏结晶过程中,当溶液达到一定的过饱和度后,石膏晶体会倾向于在已经存在的晶体上继续生长,而不是形成新的晶体。这有助于形成更大的晶体颗粒,减少细小颗粒的数量。
C选项:相对饱和度达到某一更高值时,就会产生成核反应,石膏晶体会在其他物质表面生长,导致吸收塔浆液池表面结垢。
这个描述同样准确。当溶液的过饱和度进一步增加,达到一个更高的临界值时,会发生成核反应,即形成新的晶体核心。这些新的晶体核心可能会在其他物质(如吸收塔浆液池的表面)上生长,从而导致结垢现象。
D选项:正常运行过饱和度一般控制在110%~140%。
这个说法可能因具体的工艺条件和操作要求而异,但作为一个普遍性的陈述,它并不准确。实际的过饱和度控制范围可能因不同的石膏结晶系统和操作条件而有所不同。因此,不能一概而论地认为正常运行过饱和度一定控制在110%~140%之间。
综上所述,A、B、C三个选项正确地描述了石膏结晶过程的相关现象和原理,而D选项则因为缺乏普遍适用性而被视为不正确。因此,正确答案是ABC。
相关知识点:
石膏结晶速度及相关要点
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