547.如果SM2的密文长度是2048比特,那么相应明文长度是( )比特。

4256.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中微偏移动作传感器是指通过检测微偏移动作传感器变化的方式,对密码模块是否发生形变进行检测。

4255.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中定义的抛光包装是属于篡改存迹类的缓解攻击技术。

4254.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中的缓解技术是否能够成功抵抗特定的物理攻击,与密码模块的物理特性、特定物理攻击强度、缓解技术参数指标的选取等因素相关。

4253.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中的能量攻击技术定义的激光/放射线读/写是指通过使用激光/放射线直接穿透芯片的硅外壳部分,对计算设备的存储单元进行读写操作。

4252.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》定义的时钟毛刺是指通过对时钟电路注入一个短时间高电压脉冲信号,在电路中诱发异常行为。

4251.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中规定的机械加工是指一种利用机械设备、可在短时间内完成的材料移除方法。

4250.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中定义的内部探针攻击是指通过探针直接接触电路中导体的方式,获得密码模块信息和/或对密码模块进行修改。

4249.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》定义的防篡改是指抵抗所有已知攻击和可能的突发攻击的物理安全机制。

4248.密码模块仅在使用时存在物理安全威胁。

4247.GM/T 0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中数据印痕攻击指的是通过采取措施(例如辐射、高温等)将内存电路或包含敏感信息的设备中的数据进行固化,使得在一段时间内,不能对数据进行写入、修改等操作。