529.电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。()

正确

错误

正确答案：B

解析：

电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 (答案：B 错误) 解析：静电击穿是指由于静电电荷的积累导致器件瞬间放电，可能造成器件损坏。在使用MOSFET时，确实需要注意防止静电的积累和击穿，但并非所有情况下都会发生静电击穿。因此，选项B错误。

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