单选题
【A1型题】关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是
A
突触前轴突末梢去极化
B
Ca2+由膜外进人突触前膜内
C
突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
E
突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
答案解析
正确答案:E
解析:
题目解析
该题是关于抑制性突触后电位产生过程的描述的问题。选项A、B、C、D和E分别描述了不同步骤。根据医学知识,抑制性突触后电位的产生过程与兴奋性突触后电位产生过程相反。在抑制性突触后电位产生过程中,突触前轴突末梢去极化(选项A)、Ca2+由膜外进入突触前膜内(选项B)、突触小泡释放递质并与突触后膜受体结合(选项C)都是正确的描述。然而,抑制性突触后电位产生过程中,突触后膜对Cl-或K+的通透性升高(选项D),导致突触后膜膜电位增大,反而会抑制突触后神经元的冲动产生。因此,选项E是错误的描述,是正确答案。
