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新能源汽车电控技术理论题库
901
单选题

300.关于IGBT说法错误的是()。

A
 开关速度高
B
 通态压降较低
C
 电压驱动型器件
D
 驱动功率大

答案解析

正确答案:D

解析:

关于IGBT的说法错误的是驱动功率大。正确答案是D。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率器件,具有开关速度高、通态压降较低和电压驱动型器件的特点。然而,与其他功率器件相比,IGBT的驱动功率较小,这是因为它具有较低的输入电流要求,能够通过较小的电流来控制和驱动。所以说IGBT的驱动功率相对较小,而不是大。
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