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单选题
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1、第187题,单极型半导体器件是(____)。
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1、第186题,三极管超过(____)所示极限参数时,必定被损坏。
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1、第185题,测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在(____)。
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1、第184题,三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为(____)。
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1、第183题,三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
单选题
1、第182题,三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。
单选题
1、第181题,晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将(____)。
单选题
1、第180题,若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(____)。
