微机母差保护的特点有(____)。

测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在(____)。

三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。

三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。

三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。

晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将(____)。

若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是(____)。

正弦电流经过二极管整流后的波形为(____)。

若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为(____)。

用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管(____)。

当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于(____)。