断路器具有如下优点（）。

若试品内部存在绝缘缺陷时，则其介质损耗tanδ随试验电压的升高而（）。

交流电压作用下的电介质损耗tanδ主要有（）极化损耗和游离损耗。

若设备组件之一的绝缘试验值为tanδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tanδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tanδ值与（）接近。

有n个试品的介质损耗因数分别为tanδ1、tanδ2、tanδ3、……、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδ1、……、tanδn中的（）。

介质损耗出现负值是因为（）。

通常情况下，介质损耗tanδ是随着温度上升而（）的。

介质损耗tanδ与（）成正比。

极化损耗只在（）电压下才呈现出来，而且随着电源频率的增加，质点运动更频繁，极化损耗就越大。

测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（）。

电气设备外绝缘形成的电容，在高电压作用下的能量损耗是（）。