开启电压的大小和材料、环境温度有关.

**解析：** 开启电压（Threshold Voltage，通常用 $V_{th}$ 或 $V_T$ 表示）是半导体器件（如二极管、晶体管等）开始显著导通时所需的最小正向电压。其大小确实主要受以下两个因素影响： 1. **材料特性**： 不同半导体材料的禁带宽度（Band Gap, $E_g$）不同，导致其内建电势和载流子浓度不同，从而决定了基本的开启电压数值。 * 例如：**硅（Si）**二极管的开启电压约为 **0.5V ~ 0.7V**； * **锗（Ge）**二极管的开启电压约为 **0.1V ~ 0.3V**； * **砷化镓（GaAs）**或其他宽禁带半导体（如碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）的开启电压则更高。 因此，材料是决定开启电压基础值的关键因素。 2. **环境温度**： 温度对半导体器件的电学特性有显著影响。随着环境温度的升高： * 半导体内部的本征载流子浓度增加； * PN结的内建电势降低； * 导致在相同的正向电流下，所需的正向电压减小。 一般来说，对于硅二极管，温度每升高 1°C，开启电压（或正向压降）大约下降 **2mV ~ 2.5mV**。具有负温度系数特性。 **结论：** 开启电压既取决于半导体材料的物理属性（如禁带宽度），也随环境温度的变化而发生漂移。因此，题干表述“开启电压的大小和材料、环境温度有关”是**正确**的。