A、正确
B、错误
答案：A
解析：在XDD0304D080Y变压器负载损耗中，绕组电阻损耗与温度成正比，这是因为绕组电阻损耗会随着温度的升高而增加。而附加损耗与温度成反比，这是因为附加损耗是由于铁芯磁滞、涡流等原因导致的，温度升高会减少这些损耗。因此，绕组电阻损耗与温度成正比，附加损耗与温度成反比是正确的。
A、正确
B、错误
答案：A
解析：在XDD0304D080Y变压器负载损耗中，绕组电阻损耗与温度成正比，这是因为绕组电阻损耗会随着温度的升高而增加。而附加损耗与温度成反比，这是因为附加损耗是由于铁芯磁滞、涡流等原因导致的，温度升高会减少这些损耗。因此，绕组电阻损耗与温度成正比，附加损耗与温度成反比是正确的。
A. 正确
B. 错误
解析：应急管理是一个动态管理过程，包括预防、准备、响应和恢复四个阶段。预防阶段是通过采取措施来减少事故和灾难的发生；准备阶段是为了在事故或灾难发生时能够迅速有效地应对；响应阶段是指在事故或灾难发生后，迅速采取行动进行救援和处理；恢复阶段是指在事故或灾难发生后，恢复受影响区域的正常生活和工作秩序。因此，应急管理确实包括预防、准备、响应和恢复四个阶段。所以答案是正确的。
A. 波形系数
B. 波形参数
C. 波形特征参数
解析：典型雷电冲击电压波形的波前时间和半峰值时间是波形的重要特征参数，用来描述波形的特点。因此，这两个时间通常统称为波形参数。选项B是正确答案。
A. 正确
B. 错误
解析：在XDD0304D030Z单相交流电路中，功率计算公式为P=UI*cosφ，其中φ为电路的功率因数，不是P=UI=U2/Z=I2Z。因此，题目中的等式是错误的。
A. 非破坏性试验
B. 破坏性试验
C. 功率试验
解析：绝缘试验中，非破坏性试验是指使用较低的试验电压或其他不会损伤绝缘的办法来测量绝缘的某些特性，从而判断绝缘内部是否存在缺陷。这种方法可以有效地检测绝缘是否完好，而不会对绝缘造成损坏。因此，答案选项A是正确的。
A. 磁场强度
B. 磁感应强度
C. 磁导率
解析：表征磁介质磁性能的物理量是磁导率，它是描述磁介质对磁场的响应能力的一个重要参数。磁场强度是指单位磁极产生的磁场的强度，而磁感应强度是磁场中某一点的磁感应强度。因此，正确答案是C. 磁导率。
A. 被试品测试支路
B. 标准电容支路
C. 极性判别支路
解析：M型介质试验器用来判别外界干扰电流极性的支路为极性判别支路，这是因为极性判别支路可以帮助确定被试品测试支路中的电流方向，从而准确判断被试品的性能。标准电容支路主要用于校准仪器，不用于判别外界干扰电流的极性。因此正确答案为C。
解析：
A. 100W的电阻大;
B. 60W的工作电流大;
C. 100W的电阻小,而工作电流大;
D. 60W的电阻大,而工作电流也大。
解析：100W的灯泡功率更大，因此电阻更小，而工作电流更大；220V、60W的灯泡功率较小，电阻较大，工作电流也较小。所以选项C正确。
A. 正确
B. 错误
解析：晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种，分别是双极型晶体管的两种极性。PNP型晶体管是以P型半导体为基底，夹杂N型半导体形成结，而NPN型晶体管是以N型半导体为基底，夹杂P型半导体形成结。因此，题目中的说法是正确的。
A. 正确
B. 错误
解析：绝缘电阻表的负载特性曲线是描述绝缘电阻在不同阻值下的端电压变化情况。当被测绝缘电阻阻值降低时，实际上是电阻值减小，电流增大，而根据欧姆定律，电压与电流成正比，所以绝缘电阻的端电压会随着电流增大而降低，而不是快速升高。因此，绝缘电阻表的负载特性曲线中，当被测绝缘电阻阻值降低时，绝缘电阻的端电压会快速降低，而不是升高。所以答案是错误。
