变压器变压比测试,变比电桥的结构有电阻式和()两种.

XDD0304D112Y试品在某一规定电压下发生的局部放电量用视在放电量表示,是因为视在放电量与试品实际放电点的放电量相等.()

XDD0304D111Y电力设备的局部放电,是指设备绝缘系统中被部分击穿的电气放电,这种放电可以发生在导体(电极)附近,也可发生在其他位置.()

XDD0304D110Z测量变压器电容型套管的tanδ,当湿度较大(如80%以上)时正接线使测量结果偏小,甚至tanδ测值出现负值;反接线测量影响不大.()

XDD0304D109Y预防性试验工作要做到不超期、不漏项、不误判.()

XDD0304D108Z电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层间击穿短路后,测得的电容量Cx变大.()

XDD0304D107Y少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等,严重缺油后,测量的电容量Cx变大.()

XDD0304D106Z介质损耗因数tanδ试验,可以发现设备绝缘整体受潮、劣化变质、以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷.()

XDD0304D105Y在相同条件下,测量小电容试品的tanδ和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的.()

XDD0304D104Y一个由两部分并联组成的绝缘,其整体的tanδ等于该两部分的tanδ1与tanδ2之和.()

XDD0304D103Z对高压电容式绝缘结构的套管、互感器及耦合电容器,不仅要监测其绝缘介质损耗因数,还要监测其电容量的相对变化.()