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单选题
12.GT0的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
单选题
11.IGBT器件是一种复合器件,它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、
安全工作区宽、驱动功率小、耐高压、载流能力大等优点。
单选题
10.IGBT,MOSFET,GTO,GTR全控型器件驱动信号的波形为电平控制型。
单选题
9.两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低不能承受电路电压要求而
采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。
单选题
8.晶闸管的波形系数是指某电流波形的有效值与平均值之比,不同的电流波形,其波
形系数也不同
单选题
7.在晶闸管的电流上升到其维持电流后,去掉门极触发信号,晶闸管仍能维持导通。
单选题
6.晶闸管的断态不重复峰值电压小于其转折电压。
单选题
5.晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
单选题
4.晶闸管有三个电极分别称为正极,负极和门级。
单选题
3.晶闸管是一种能够同时承受高电压和大电流的半导体器件。
