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176 对于良好绝缘的 tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压 U 的升高而降低。( )
175 当绝缘内的缺陷不是整体分布性的,而是集中在某一小点,介质损耗正切值 tanδ对这类局部缺陷的反应不够灵敏。( )
174 一般来说,被试设备的体积电容愈大,或局部集中缺陷的范围愈小,总体 tanδ的数值增加也就愈小,对缺陷的反映愈不灵敏。( )
173 电气设备交接试验,除按现行的《电业安全工作规程》执行外,还应参考设备制造厂对产品的技术说明和有关要求进行。( )
172 高压试验时,当间隙作为测量间隙使用时,保护电阻的阻值与试验电压的频率有关,工频试验电压时测量球隙的保护电阻按 1Ω/V 选取。( )
171 将用绝缘电阻表测量的 60s 时的绝缘电阻与 15s 时的绝缘电阻相比,称为绝缘吸收比。( )
170 气设备无论进行交接试验或预防性试验,在事先要安排好试验计划,试验周期、项目和标准都要严格执行有关规程规定。( )
169 常用的非破坏性试验的方法有绝缘电阻和吸收比测量、直流泄漏电流测量、绝缘介质损耗角正切值测量。( )
168 判断载流导体在磁场中运动方向时,应使用右手定则。( )
167 对于同一电容 C 如接在不同频率的交流电路中时,频率越高则容抗越大。( )
