Uf<Uf Residue、Ur<Uflow，在就地模式下，断路器（ ）

西林电桥反接线：适用于被试品一端接地，测量时电桥位于低电位，试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电容不易消除，抗干扰性差

西林电桥正接线：此时试品两端对地绝缘，电桥处于高电位，操作安全方便。

在交流电压作用下，流过绝缘介质的实际上不仅有电容电流，还有电导电流和吸收电流；这两份电流在绝缘介质中流过就会造成损耗，这种损耗就是介质损耗

绝缘老化或存在气隙放电等缺陷都会引起tanδ数值的显著增加

如果绝缘内的缺陷不是整体分步性的，而是集中某一小点，虽然对于这一小点来说缺陷很严重，但是对整体来说损耗电流IR增加并不显著

超低频介损试验，应考虑1Uo下介损值标准偏差、1.5Uo与0.5Uo超低频介损平均值的差值和1Uo下介损平均值三个指标，符合相关要求后，给出评价结论

被测电缆绝缘阻值小于50MΩ时不宜进行介质损耗检测

超低频介质损耗测试试验，试验电压应以0.5Uo的步进值从0.5Uo开始升高至1.5Uo，每一个步进电压下应至少完成5次介损测量

西林电桥不管正接线或反接线，电桥平衡时检流计均为0

绝缘介质损耗的大小，实际上是绝缘性能优劣的一种表示。同一台设备，绝缘良好，介质损耗就小；绝缘受潮劣化，介质损耗就小