电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止().

　时间久而失效

　二次击穿

　静电击穿

　饱和

正确答案：C

解析：

电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止静电击穿。静电击穿是指在电子器件中由于静电电荷积累导致的击穿现象，会对器件造成损坏甚至失效。因此，在处理MOSFET时，需要注意防止静电的积累和释放，使用防静电手环、防静电垫等工具，避免对器件造成损坏。

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