绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的().

**解析：** 绝缘栅双极晶体管（IGBT）和电力场效应管（Power MOSFET，简称MOSFET）都是常见的功率半导体器件，但它们的内部结构和工作原理不同，导致开关特性存在差异。 1. **器件结构与原理**： * **MOSFET** 是单极型器件，主要依靠多数载流子（电子或空穴）导电。由于没有少数载流子的存储效应，其开关过程非常快，开关损耗小，适合高频应用。 * **IGBT** 是复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（双极型晶体管）的低导通压降优点。然而，IGBT内部存在电导调制效应，这在关断时会产生“拖尾电流”现象（即少数载流子需要时间复合或抽出），导致关断时间较长。 2. **开关速度对比**： * 由于MOSFET没有少数载流子存储时间的问题，其开关频率通常可以达到几十kHz甚至MHz级别。 * IGBT由于存在拖尾电流，其开关速度相对较慢，通常工作频率在几kHz到几十kHz之间。 因此，**IGBT的开关速度比电力场效应管（MOSFET）低**。 故正确答案为 **C**。