3.1.221保护电压互感器的高压熔断器,应按母线额定电压及短路容量选择,如熔断器断流容量不能满足要求时应加装限流电阻。( )[DL/T727-2013]

1.2.474瞬时污秽是指高导电率的一种污染物,这种污染物快速沉积在绝缘子表面,使绝缘子的状态在一个很短的时间( )内从一种可允许的清洁/低导电率状态改变直到闪络,并且当这一事件过去后再返回到低电导状态。[GB/T26218.1-2010]

1.2.473在( )条件下,跨接绝缘子表面的电弧传播会经受一个熄灭和再点燃的过程。[GB/T26218.1-2010]

1.2.472绝缘子出现闪络的可能性是随泄漏电流的( )而增大,并且主要由决定了电流大小的()确定。[GB/T26218.1-2010]

1.2.471对于空心绝缘子较高的污秽水平,阻性表面电流成为主导地位,并且因此可以( )电压分布不均匀性的影响。[GB/T26218.1-2010]

1.2.470对于空心绝缘子电压分布不均匀性的影响,绝缘子在其较低污秽水平即ESDD为( )时更明显。[GB/T26218.1-2010]

1.2.469对于易受到盐水喷溅的地区或其他溶解状态污秽物的地区,采用以下哪种外形绝缘子( )更有益。[GB/T26218.1-2010]

1.2.468荒漠或严重污染的工业地区采用以下哪种外形绝缘子( )更有益。[GB/T26218.1-2010]

1.2.467污秽事件通常与季节性相关,因此,考虑季节的影响B类污秽现场测量周期至少需要()年,A类污秽现场测量周期至少需要( )年。[GB/T26218.1-2010]

1.2.466对于B类污秽现场,应采取哪种( )方法进行现场测量污秽度较为合适。[GB/T26218.1-2010]

1.2.465对于A类污秽现场,应采取哪种( )方法进行现场测量污秽度较为合适。[GB/T26218.1-2010]