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3.2.223对电容型绝缘结构的电流互感器进行( )时,不可能发现绝缘末屏引线在内部发生的断线或不稳定接地缺陷。[DL/T474.3-2006介质损耗因数试验]
3.2.222若设备组件之一的绝缘试验值为tanδ1=5%,C1=250pF;而设备其余部分绝缘试验值为tanδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tanδ值与( )接近。[DL/T474.3-2006介质损耗因数试验]
3.2.221被测量的电流大约是0.45A,为使测量结果更准确些,应选用( )电流表。[DL/T846.1~9-2004高电压测试设备通用技术条件]
3.2.220电气设备温度下降,其绝缘的直流泄漏电流( )。[DL/T474.2-2006直流高电压试验]
3.2.219在直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆的最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的( )。[DL/T474.2-2006直流高电压试验]
3.2.218对已有单独试验记录的若干不同试验电压的电力设备,在单独试验有困难时,可以连在一起进行耐压试验。此时,试验电压应采用所连接设备中试验电压的( )。[DL/T474.4-2006交流耐压试验]
3.2.217运行中的电流互感器过热,排除过负荷或二次开路原因,还有的可能原因是( )[DL/T727-2013]
3.2.216运行中的电流互感器过热,排除过负荷或二次开路原因,还有的可能原因是( )[DL/T727-2013]
3.2.215交流耐压试验会对某些设备绝缘形成破坏性的积累效应,而在下列各类设备中,( )却几乎没有积累效应。[DL/T474.4-2006交流耐压试验]
3.2.214运行中的电流互感器过热,排除过负荷或二次开路原因,还有的可能原因是( )[GB1207-2006]
