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3.2.227SF6开关气体泄漏试验时,对电压等级较高的断路器以及GIS,因体积大可用局部包扎法检漏,每个密封部位包扎后历时( ),测得的SF。气体含量(体积分数)不大于30μL/L。[DL/T596-1996]
3.2.226大修后断路器灭弧室的SF6气体在20℃时的湿度应不大于( )。[DL/T596-1996]
3.2.225DL/T596-1996规定,运行中的断路器灭弧室的SF6气体在20℃时的湿度应不大于( )。[DL/T596-1996]
3.2.224DL/T596-1996规定,GIS中SF6气体泄漏标准为每个隔室年漏气率小于( )。[DL/T596-1996]
3.2.223对电容型绝缘结构的电流互感器进行( )时,不可能发现绝缘末屏引线在内部发生的断线或不稳定接地缺陷。[DL/T474.3-2006介质损耗因数试验]
3.2.222若设备组件之一的绝缘试验值为tanδ1=5%,C1=250pF;而设备其余部分绝缘试验值为tanδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tanδ值与( )接近。[DL/T474.3-2006介质损耗因数试验]
3.2.221被测量的电流大约是0.45A,为使测量结果更准确些,应选用( )电流表。[DL/T846.1~9-2004高电压测试设备通用技术条件]
3.2.220电气设备温度下降,其绝缘的直流泄漏电流( )。[DL/T474.2-2006直流高电压试验]
3.2.219在直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆的最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的( )。[DL/T474.2-2006直流高电压试验]
3.2.218对已有单独试验记录的若干不同试验电压的电力设备,在单独试验有困难时,可以连在一起进行耐压试验。此时,试验电压应采用所连接设备中试验电压的( )。[DL/T474.4-2006交流耐压试验]
